Моя заявка (0)

Diodes Inc BC856BW-7-F PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin SOT-323

Diodes Inc BC856BW-7-F PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014593771
Артикул
BC856BW-7-F
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
2.2 mm
Серия
BC856B
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина2.2 mm
СерияBC856B
Package TypeSOT-323(SC-70)
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation200mW
Minimum DC Current Gain220
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency200 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-80 V
Maximum Collector Emitter Voltage-65 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage65V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at -2 mA, - 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация