BC856BS,115, Транзистор: PNP x2, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650494
- Артикул
- BC856BS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.22 |
| Длина | 2.2 mm |
| Power - Max | 300mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | 6-TSSOP |
| Ширина | 1.35 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | BC856 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SC-88-6 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 290 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |