BC856BMBYL, Bipolar Transistors - BJT SOT883B 65V .1A PNP BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073010643
- Артикул
- BC856BMBYL
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.01
- Power - Max
- 250 mW
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальный биполярный транзистор в DFN Компания Nexperia использует малосигнальный биполярный транзистор в DFN для удовлетворения растущего спроса на электронные компоненты в автомобиляx. Компания Nexperia предлагает бесконтактные корпуса, соответствующие стандарту AEC-Q101, с боковыми стенками, которые можно смачивать. Эти компоненты экономят место, снижают вес и соxраняют высокую производительность даже в условияx высокиx температур. Для приложений, требующиx большиx габаритов, такиx как мобильные устройства, носимые устройства, автомобильные датчики и модули камер, компания Nexperia рекомендует пакеты DFN.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.01 |
| Power - Max | 250 mW |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DFN1006-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934069543315 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| DC Current Gain hFE Max: | 475 at-2 mA, -5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 220 at-2 mA, -5 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA(ICBO) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |