BC856BDW1T3G, 65V 220@2mA,5V 380mW 100mA PNP SOT-363-6 Bipolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048620788
- Артикул
- BC856BDW1T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-363 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Pd - Power Dissipation: | 380 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 475 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 220 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 650 mV |