Моя заявка (0)

BC856BDW1T1G, Транзистор, 2-PNP, 65В, 0.1А, 0.38Вт, hFE=220…475 [SOT-363.]

BC856BDW1T1G, Транзистор, 2-PNP, 65В, 0.1А, 0.38Вт, hFE=220…475 [SOT-363.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000382339
Артикул
BC856BDW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.21.00.95
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Military
No
Цена по запросу
(от 8,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23

Технические параметры

HTS8541.21.00.95
TypePNP
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed6
Part StatusActive
ConfigurationDual
Package Width1.25
Package Height0.9
Package Length2
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSC-88
Standard Package NameSC
Minimum DC Current Gain220@2mA@5V
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip2
Maximum Power Dissipation (mW)380
Maximum DC Collector Current (A)0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)80
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)65
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)15
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA

Техническая документация