BC856BDW1T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062236937
- Артикул
- BC856BDW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.21.00.95
- Type
- PNP
- Вид
- PNP
- Тип
- биполярный
Цена по запросу
(от 9,90 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Type | PNP |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-363 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.25 |
| Package Height | 0.9 |
| Package Length | 2 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SC-88 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SC |
| Minimum DC Current Gain | 220@2mA@5V |
| Maximum Power Dissipation | 380 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum DC Collector Current | -200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 380 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 65 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |