Моя заявка (0)
BC856B,235 PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014560350
Артикул
BC856B,235
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BC856B,235 от производителя NEXPERIA представляет собой высококачественный компонент для монтажа типа SMD. Данный PNP транзистор характеризуется током коллектора 0,1 А, напряжением коллектор-эмиттер 65 В и мощностью 0,25 Вт. Компактный корпус SOT23|TO236AB обеспечивает удобство использования в различных областях применения, где требуется надежность и эффективность. Модель BC856B,235 является отличным выбором для разработчиков электронных устройств благодаря своим техническим характеристикам и возможности интеграции в различные схемы. Код товара BC856B235 подтверждает его уникальность и гарантирует соответствие высоким стандартам качества NEXPERIA. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 65 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23, TO236AB

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г1
Длина3 mm
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Структураpnp
Base Product NumberBC856 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Minimum DC Current Gain220
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current-100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage-65 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №933589730235
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.220 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация