Моя заявка (0)

BC856AW,115, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.2 Вт

BC856AW,115, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.2 Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070103646
Артикул
BC856AW,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 9,59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.1
Длина2.2 mm
Power - Max200mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypePNP
Структураpnp
Base Product NumberBC856 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageSOT-323
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce125 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №934021810115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.125 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация