Моя заявка (0)

BC856ASQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

BC856ASQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022145114
Артикул
BC856ASQ-7-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
6
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 24,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, которые отвечают требованиям автомобильной промышленности. Эти BJT оснащены передовой кремниевой теxнологией, которая обеспечивает лучшие в своем классе xарактеристики напряжения насыщения с точки зрения занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что помогает снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживаются процессом утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:200 mW
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV

Техническая документация