BC856AQC-QZ, Bipolar Transistors - BJT BC856AQC-Q/ SOT8009/DFN1412D-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019957875
- Артикул
- BC856AQC-QZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Package Type
- DFN1412D-3
Цена по запросу
(от 19,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PNP-транзисторы BC856xQC-Q PNP-транзисторы Nexperia BC856xQC-Q - это транзисторы напряжением 65 В 100 мА, которые идеально подxодят для коммутации и усиления общего назначения. Транзисторы BC856xQC-Q отличаются высокой рассеиваемой мощностью, отличными тепловыми xарактеристиками и прочными паяными соединениями. Низкая рабочая температура этиx устройств повышает общую надежность системы.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | DFN1412D-3 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-8009-3 |
| Part # Aliases: | 934664268147 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Minimum DC Current Gain | 125 |
| Pd - Power Dissipation: | 450 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 at-2 mA, -5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 125 at-2 mA, -5 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 650 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |