Моя заявка (0)

BC856AQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K

BC856AQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007446961
Артикул
BC856AQ-7-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Корпус
SOT-23(TO-236)
Transistor Type
PNP
Power Dissipation
350мВт
Цена по запросу
(от 21,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы PNP SOT-23 на 65 В 310 МВт, 125 В 2 мА, 5 В 100 мА - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г1
КорпусSOT-23(TO-236)
Transistor TypePNP
Power Dissipation350мВт
Operating Temperature-65℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)310mW
DC Current Gain hFE Min125hFE
КвалификацияAEC-Q101
Transition Frequency (fT)200MHz
Continuous Collector Current100мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)125@2mA, 5V
Collector Emitter Voltage Max65В
Collector Cut-Off Current (Icbo)15nA
DC Усиление Тока hFE125hFE
Линейка ПродукцииBC856 Series
Частота Перехода ft200МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)65V
Полярность ТранзистораPNP
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)650mV@5mA, 100mA
Максимальная Рабочая Температура150°C

Техническая документация