Моя заявка (0)

BC856ALT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT23

BC856ALT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547439
Артикул
BC856ALT1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 6,57 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TypePNP
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Package Width1.3
Package Height0.94
Package Length2.9
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураpnp
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain125@2mA@5V
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum DC Collector Current (A)0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)80
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)65
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)15
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация