BC856A,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050716273
- Артикул
- BC856A
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- SOT23
- Version
- PNP
- Assembly
- SMD
- Mounting
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BC856A от производителя DIOTEC представляет собой компонент с PNP структурой, разработанный для монтажа в формате SMD. Этот транзистор характеризуется током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер в 80 В, обеспечивая мощность до 0,25 Вт. Благодаря компактному корпусу SOT23, BC856A идеально подходит для использования в ограниченных пространствах, предлагая высокую надежность и эффективность в широком спектре областей применения. Модель BC856A выделяется своей универсальностью и является отличным выбором для разработчиков электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Version | PNP |
| Assembly | SMD |
| Mounting | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 100 MHz |
| Вес, г | 2.747 |
| Min DC gain | 125 mA |
| Current gain | 180 |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | bipolar |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT23 |
| Монтаж | SMD |
| Kind of package | reel, tape |
| Мощность | 250мВт |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.25W |
| Saturation voltage | -650 mV |
| Type of transistor | PNP |
| Структура | pnp |
| Max DC amplification | 250 mA |
| Полярность | биполярный |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| Вид упаковки | бобина, лента |
| Collector-emitter voltage | 65V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Ток коллектора | 100мА |
| Тип транзистора | PNP |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -80 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -65 V |
| Коэффициент усиления по току | 180 |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 65В |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |