BC850CWH6327, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 0,33Вт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002564380
- Артикул
- BC850CWH6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- BC850
- Корпус
- sot-323
- Монтаж
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BC850CWH6327 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с корпусом SOT323. Данный NPN транзистор способен выдерживать ток коллектора до 0,1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, обладая мощностью 0,33 Вт. Идеально подходит для усиления и коммутации сигналов в различных электронных устройствах и цепях. Код товара BC850CWH6327 обеспечивает легкость идентификации и заказа, а его компактные размеры и SMD-технология монтажа позволяют использовать его в самых миниатюрных печатных платах. Компонент предназначен для использования в электронике, где требуется надежность и долговечность. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.33 Корпус SOT323
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | BC850 |
| Корпус | sot-323 |
| Монтаж | SMD |
| Частота | 250МГц |
| Мощность | 330мВт |
| Структура | npn |
| Полярность | биполярный |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Ток коллектора | 100мА |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Тип транзистора | NPN |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Другие названия товара № | BC85CWH6327XT SP000747418 BC850CWH6327XTSA1 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45В |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |