Моя заявка (0)
BC850CW,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004078325
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Длина
2.2 mm
Package Type
UMT
Цена по запросу
(от 6,25 ₽)
Минимальный заказ: 48 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.05
Длина2.2 mm
Package TypeUMT
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Transistor PolarityNPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain420
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №934022080115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.420 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация