Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850CE6327
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026549829
- Артикул
- BC850CE6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- SOT23
- Version
- NPN
- Assembly
- SMD
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, BC850CE6327, Infineon Technologies Особенности Высокий коэффициент усиления по току Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Низкий уровень шума Не содержит Pb и соответствует требованиям RoHS Приложения Для вxодныx каскадов автофокусировки и приложений для драйверов
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Mounting | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 250MHz |
| Вес, г | 0.03 |
| Min DC gain | 420 mA |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | bipolar |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Rated current | 100 mA |
| Collector current | 100 mA |
| Power dissipation | 0.33 W |
| Saturation voltage | 250 mV |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Max DC amplification | 800 mA |
| Transit frequency fTmin | 250 MHz |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 50 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 45 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |