Моя заявка (0)

BC850C, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23

BC850C, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046538542
Артикул
BC850C
Бренд
Diotec Semiconductor
Version
NPN
Assembly
SMD
Category
Bipolar Small Signal
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 5,40 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BC850C от DIOTEC представляет собой высококачественный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Этот NPN транзистор способен работать при токе коллектора до 0,1 А и напряжении коллектор-эмиттер до 50 В, обладая мощностью 0,25 Вт. Идеально подходит для широкого спектра электронных схем, предлагая надежность и эффективность в компактном исполнении. BC850C выделяется своей способностью обеспечивать стабильную работу в различных областях применения, от усилителей до переключающих устройств. Воспользуйтесь преимуществами BC850C для вашей следующей электронной разработки. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23

Технические параметры

VersionNPN
AssemblySMD
CategoryBipolar Small Signal
MountingSurface Mount
EnclosureSOT-23
Frequency300(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Вес, г0.02
Min DC gain420 mA
Output PowerNot Required(W)
Package TypeSOT-23
Rad HardenedNo
Корпусsot23
ConfigurationSingle
DC Current Gain420
Collector current100 mA
Power Dissipation0.25(W)
Number of Elements1
Saturation voltage600 mV
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage5(V)
Max DC amplification800 mA
Operating Temp Range-55C to 150C
Collector Current (DC)0.1(A)
Collector-Base Voltage50(V)
Transit frequency fTmin300 MHz
Collector-Emitter Voltage45(V)
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
кол-во в упаковке3000
Operating Temperature ClassificationMilitary
max.voltage between collector and base Vcbo50 V
max.voltage between collector and emitter Vceo45 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт250мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45

Техническая документация