BC850BLT1G NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014595207
- Артикул
- BC850BLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Type
- NPN
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- BC850BL
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор NPN BC850BLT1G от производителя ONSEMI выделяется своими компактными размерами благодаря монтажу SMD в корпусе SOT23. Этот компонент поддерживает ток коллектора на уровне 0,1 А и имеет напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, при этом мощность устройства составляет 0,225 Вт. Изделие BC850BLT1G обеспечивает надежную работу в разнообразных электронных схемах, став незаменимым элементом в области применения, где требуется стабильность и высокая производительность. Его применение включает в себя, но не ограничивается, усилительными цепями, переключающими устройствами и схемами управления. Код товара BC850BLT1G повторно подчеркивает уникальность данного транзистора, подтверждая его востребованность среди профессионалов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.225 Корпус SOT23
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | BC850BL |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 200 |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V dc |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |