Моя заявка (0)

Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850B

Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057424157
Артикул
BC850B
Бренд
Diotec Semiconductor
Case
SOT23
Version
NPN
Assembly
SMD
Material
Si
Цена по запросу
(от 4,25 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NPN-транзистор, BC850B, DIOTEC NPN-транзистор SMD общего назначения. Приложения Обработка сигналов Переключение Усиление

Технические параметры

CaseSOT23
VersionNPN
AssemblySMD
MaterialSi
MountingSMD
EnclosureSOT-23
Frequency100 MHz
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveUnknown
Вес, г0.02
Min DC gain200 mA
Current gain200…450
ManufacturerDIOTEC SEMICONDUCTOR
Polarisationbipolar
КорпусSOT-23(TO-236)
ConfigurationSingle
Kind of packagereel, tape
Supplier PackageSOT-23
Collector current100 mA
Power dissipation0.25 W
Military QualifiedNo
Saturation voltage600 mV
Type of transistorNPN
Структураnpn
Max DC amplification450 mA
Standard Package NameSOT-23
Minimum DC Current Gain200@2mA@5V
Transit frequency fTmin300 MHz
Collector-emitter voltage45V
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (?C)-55~150
Maximum Power Dissipation - (mW)250
Maximum DC Collector Current - (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage - (V)5
Maximum Collector Base Voltage - (V)50
Maximum Transition Frequency - (MHz)300(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V)45
max.voltage between collector and base Vcbo50 V
max.voltage between collector and emitter Vceo45 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA

Техническая документация