BC850B,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050716271
- Артикул
- BC850B
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- SOT23
- Version
- NPN
- Assembly
- SMD
- Material
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BC850B от DIOTEC представляет собой надежный SMD-компонент для поверхностного монтажа. Этот NPN транзистор характеризуется максимальным током коллектора 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер 50 В, что делает его идеальным для различных электронных применений. С номинальной мощностью 0,25 Вт, BC850B способен обеспечить стабильную работу в цепях средней мощности. Компактный корпус SOT23 исключает проблемы с экономией места на плате. Используя этот транзистор BC850B, вы можете быть уверены в его долговечности и высокой производительности. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Material | Si |
| Mounting | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 300MHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Unknown |
| Вес, г | 2.747 |
| Min DC gain | 200 mA |
| Current gain | 200…450 |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | bipolar |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Kind of package | reel, tape |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 250mW |
| Military Qualified | No |
| Saturation voltage | 600 mV |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Max DC amplification | 450 mA |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Transit frequency fTmin | 300 MHz |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (?C) | -55~150 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 250 |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage - (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 300(Typ) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 45 |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 50 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 45 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |