Моя заявка (0)

BC850B,215, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23

BC850B,215, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070029139
Артикул
BC850B,215
Бренд
Nexperia B.V.
Brand
Nexperia
Pin Count
3
Вес, г
0.03
Длина
3 mm
Цена по запросу
(от 6,90 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР BC850B235, NPN, SOT-23; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 45 В; Частота переxода ft:-; Рассеиваемая мощность Pd: 250 МВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 290hFE; Конструкция корпуса транзистора

Технические параметры

BrandNexperia
Pin Count3
Вес, г0.03
Длина3 mm
Package TypeSOT-23
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Transistor PolarityNPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №BC850B T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 2 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация