Моя заявка (0)

BC849C,215, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23

BC849C,215, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024649862
Артикул
BC849C,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 2,32 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор NPN BC849C,215 от NEXPERIA – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в компактном корпусе SOT23|TO236AB. Он характеризуется максимальным током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер на уровне 30 В, при этом обеспечивая мощность до 0,25 Вт. Этот транзистор идеально подходит для различных электронных схем, где требуется надежный контроль над током. Код товара BC849C,215 подчеркивает его уникальность и обеспечивает легкость идентификации. В области применения этот компонент BC849C215 находит свое применение в усилителях, переключателях и других электронных устройствах, требующих компактных и эффективных решений. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 30 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23, TO236AB

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г0.05
Длина3 mm
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236AB)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS CompliantYes
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberBC849 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Minimum DC Current Gain420
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage30 V
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №BC849C T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт250мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.420 at 2 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA at 5 V
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация