Моя заявка (0)

BC848C, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23

BC848C, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002656531
Артикул
BC848C
Бренд
Diotec Semiconductor
Version
NPN
Assembly
SMD
Category
Bipolar Small Signal
Enclosure
SOT-23
Цена по запросу
(от 11,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор NPN BC848C от производителя DIOTEC подходит для монтажа в SMD исполнении. Особенности данной модели включают в себя ток коллектора на уровне 0,1 А, напряжение коллектор-эмиттер до 30 В и мощность 0,25 Вт. Компактный корпус SOT23 обеспечивает удобство использования в различной электронной аппаратуре. Продукт BC848C идеален для широкого спектра областей применения, начиная от усилительных схем до переключающих устройств. Используя BC848C в своих проектах, вы получаете надежный компонент, способный эффективно работать в разнообразных условиях. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 30 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23

Технические параметры

VersionNPN
AssemblySMD
CategoryBipolar Small Signal
EnclosureSOT-23
Frequency100 MHz
Pin Count3
AutomotiveUnknown
Вес, г0.02
Min DC gain420 mA
КорпусSOT-23(TO-236)
Rated current100 mA
Supplier PackageSOT-23
Collector current100 mA
Power dissipation0.25 W
Military QualifiedNo
Saturation voltage600 mV
Структураnpn
Max DC amplification800 mA
Standard Package NameSOT-23
Minimum DC Current Gain420@2mA@5V
Transit frequency fTmin300 MHz
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation - (mW)250
Maximum DC Collector Current - (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage - (V)5
Maximum Collector Base Voltage - (V)30
Maximum Operating Temperature - (?C)150
Maximum Transition Frequency - (MHz)300(Typ)
Minimum Operating Temperature - (?C)-55
Maximum Collector Emitter Voltage - (V)30
max.voltage between collector and base Vcbo30 V
max.voltage between collector and emitter Vceo30 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт250мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30

Техническая документация