Моя заявка (0)

BC848C-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23

BC848C-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026570568
Артикул
BC848C-7-F
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Brand:
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
Brand:Diodes Incorporated
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Series:BC848C
Pin Count3
Вес, г0.02
Power - Max300mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:Si
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Base Product NumberBC848 ->
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Frequency - Transition300MHz
Minimum DC Current Gain420
Pd - Power Dissipation:310 mW
Supplier Device PackageSOT-23-3
DC Current Gain hFE Max:800 at 2 mA, 5 V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:30 V
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:420
Current - Collector Cutoff (Max)15nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт350мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30

Техническая документация