Моя заявка (0)
BC848BWT106, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062870425
Артикул
BC848BWT106
Бренд
Rohm
Вес, г
0.1
Длина
2 mm
Серия
BC848BW
Высота
0.8 mm
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 1MA

Технические параметры

Вес, г0.1
Длина2 mm
СерияBC848BW
Высота0.8 mm
Ширина1.25 mm
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)200MHz
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@2mA, 5V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)30V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №BC848BW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@5mA, 100mA
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация