BC848BLT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001030097
- Артикул
- BC848BLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 1100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 30мВт, SOT23
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BC848BL |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 30 |