Моя заявка (0)

BC848BHZGT116, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount

BC848BHZGT116, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8107469577
Артикул
BC848BHZGT116
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Корпус
SOT-23(TO-236)
Структура
npn
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V

Технические параметры

Вес, г1
КорпусSOT-23(TO-236)
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности350 mW
Другие названия товара №BC848BHZG
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация