BC848B, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062938760
- Артикул
- BC848B
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Version
- NPN
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- SOT-23
- Packaging
- Tape and Reel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный NPN BC848B от DIOTEC отличается монтажом типа SMD, что обеспечивает его удобную интеграцию в современные электронные схемы. С током коллектора 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер 30 В, он способен работать в мощностном режиме до 0,25 Вт, что делает его идеальным для широкого спектра областей применения. Компактный корпус SOT23 обеспечивает минимальное занимаемое пространство на плате. BC848B является высокопроизводительным компонентом, обеспечивающим надежность и долговечность в различных электронных проектах. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 30 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23
Технические параметры
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.02 |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT23 |
| Configuration | Single |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | 100 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Military Qualified | No |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (?C) | -55~150 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 250 |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 300(Typ) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 30 |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 30 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 30 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |