Моя заявка (0)
BC848B-7-F, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066807937
Артикул
BC848B-7-F
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.04
Длина
3.05 mm
Серия
BC848B
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.04
Длина3.05 mm
СерияBC848B
Package TypeSOT-23
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation300 mW
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности300 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация