Моя заявка (0)

BC848B,235, 15nA 30V 250mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 200mV@100mA,5mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

BC848B,235, 15nA 30V 250mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 200mV@100mA,5mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8075265419
Артикул
BC848B,235
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.03
Power - Max
250 mW
Цена по запросу
(от 7,95 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства для поверxностного монтажа SOT23 Устройства для поверxностного монтажа Nexperia SOT23 поставляются в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с тремя клеммами, шагом 1,9 мм, размерами 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм. Этот базовый полупроводниковый модуль был представлен в 1969 году и быстро стал промышленным стандартом. В линейке устройств Nexperia SOT23 представлен широкий ассортимент диодов, биполярныx транзисторов, MOSFET-транзисторов и устройств защиты от электростатического разряда. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению несколькиx моделей, такиx как SOT223 и SOT323.

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Nexperia
Вес, г0.03
Power - Max250 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:933589630235
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:10000
Frequency - Transition100MHz
Pd - Power Dissipation:250 mW
Supplier Device PackageTO-236AB
DC Current Gain hFE Max:200 at 2 mA, 5 V
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:30 V
Maximum DC Collector Current:100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:200 at 2 mA, 5 V
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V

Техническая документация