BC847SH6327XTSA1, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007965732
- Артикул
- BC847SH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 0.1 A
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 0.25 W
- V(CBO)
- 50 V
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| I(C) | 0.1 A |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 0.25 W |
| V(CBO) | 50 V |
| V(CEO) | 45 V |
| Package | SOT363 |
| Packaging | REEL |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Вес, г | 0.004 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Current gain | 90 |
| Polarisation | NPN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BC 847S H6327 SP000747298 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 450 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |