Моя заявка (0)
BC847PNQ-7R-F, SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070179431
Артикул
BC847PNQ-7R-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.06
Transistor Type
NPN+PNP
Технология
Si
Power Dissipation NPN
200мВт
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Вес, г0.06
Transistor TypeNPN+PNP
ТехнологияSi
Power Dissipation NPN200мВт
Power Dissipation PNP200мВт
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transition Frequency NPN300МГц
Transition Frequency PNP200МГц
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)300MHz
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-363-6
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@2mA, 5V
DC Ток Коллектора100мА
Collector Cut-Off Current (Icbo)15nA
Continuous Collector Current NPN100мА
Continuous Collector Current PNP100мА
DC Усиление Тока hFE200hFE
Collector Emitter Voltage Max NPN45В
Collector Emitter Voltage Max PNP45В
Линейка Продукции-
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Рассеиваемая Мощность200мВт
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@5mA, 100mA
Напряжение Коллектор-Эмиттер45В
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация