BC847PNQ-7-F, Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016878093
- Артикул
- BC847PNQ-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Структура
- npn
- Power Dissipation NPN
- 200мВт
- Power Dissipation PNP
- 200мВт
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Структура | npn |
| Power Dissipation NPN | 200мВт |
| Power Dissipation PNP | 200мВт |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Transition Frequency NPN | 300МГц |
| Transition Frequency PNP | 200МГц |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 200hFE |
| DC Current Gain hFE Min PNP | 200hFE |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-363-6 |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| Continuous Collector Current NPN | 100мА |
| Continuous Collector Current PNP | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 45В |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 45В |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность Транзистора | Complementary NPN and PNP |
| Полярность транзистора: | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Непрерывный коллекторный ток: | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 600 mV |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 450 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |