Моя заявка (0)

BC847PNQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

BC847PNQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004613225
Артикул
BC847PNQ-7-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Power Dissipation NPN
200мВт
Power Dissipation PNP
200мВт
Технология:
Si
Цена по запросу
(от 70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Вес, г0.01
Power Dissipation NPN200мВт
Power Dissipation PNP200мВт
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Transition Frequency NPN300МГц
Transition Frequency PNP200МГц
КвалификацияAEC-Q101
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Квалификация:AEC-Q101
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Производитель:Diodes Incorporated
Торговая марка:Diodes Incorporated
Упаковка / блок:SOT-363-6
DC Ток Коллектора100мА
Continuous Collector Current NPN100мА
Continuous Collector Current PNP100мА
DC Усиление Тока hFE200hFE
Collector Emitter Voltage Max NPN45В
Collector Emitter Voltage Max PNP45В
Линейка Продукции-
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Рассеиваемая Мощность200мВт
Полярность ТранзистораComplementary NPN and PNP
Полярность транзистора:NPN, PNP
Pd - рассеивание мощности:200 mW
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Размер фабричной упаковки:3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO):6 V
Напряжение Коллектор-Эмиттер45В
Непрерывный коллекторный ток:100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO):50 V
Минимальная рабочая температура:- 65 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:600 mV
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):300 MHz

Техническая документация