BC847PN-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005058142
- Артикул
- BC847PN-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- BC847P
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный NPN BC847PN-7-F от DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT363. С током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 0,2 Вт. Эти характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств в различных областях применения, где требуется надежность и эффективность. Используя BC847PN7F в вашем следующем проекте, вы получаете гарантию качества от известного производителя DIODES INCORPORATED, а также высокую производительность и долговечность компонента. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.2 Корпус SOT363
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | BC847P |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| DC Current Gain hFE Min | 290hFE |
| Minimum DC Current Gain | 200, 220 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Квалификация | - |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
| DC Усиление Тока hFE | 290hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Полярность Транзистора | NPN, PNP |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |