Моя заявка (0)

BC847CW, Транзистор биполярный,NPN, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23

BC847CW, Транзистор биполярный,NPN, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032947221
Артикул
BC847CW
Бренд
Diotec Semiconductor
Version
NPN
Assembly
SMD
Enclosure
SOT-323
Frequency
100 MHz
Цена по запросу
(от 4,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BC847CW от известного производителя DIOTEC - это надежный компонент для монтажа на поверхность (SMD), предназначенный для усиления и коммутации электрических сигналов в различных электронных устройствах. Модель характеризуется типом NPN, что делает его идеальным для использования в положительных земляных схемах. С максимальным током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 50 В, этот транзистор может управлять многими типами нагрузок. Кроме того, его мощность в 0,2 Вт позволяет работать с умеренными рассеиваемыми мощностями. Компактный корпус SOT323 обеспечивает минимальное занимаемое пространство на печатной плате. Для удобства покупателей, модель обозначается кодом BC847CW, что облегчает поиск и заказ данного компонента. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.2 Корпус SOT323

Технические параметры

VersionNPN
AssemblySMD
EnclosureSOT-323
Frequency100 MHz
Вес, г0.03
Min DC gain420 mA
КорпусSOT323
МонтажSMD
Мощность200мВт
Collector current100 mA
Power dissipation0.25 W
Saturation voltage600 mV
Структураnpn
Max DC amplification800 mA
Полярностьбиполярный
Transit frequency fTmin300 MHz
Вид упаковкибобина, лента
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Ток коллектора100мА
Тип транзистораNPN
кол-во в упаковке3000
max.voltage between collector and base Vcbo50 V
max.voltage between collector and emitter Vceo45 V
Коэффициент усиления по току520
Напряжение коллектор-эмиттер45В

Техническая документация