BC847CDLP-7, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001014361
- Артикул
- BC847CDLP-7
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.21.00.75
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 45V
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.75 |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.3 mm |
| Серия | BC847C |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Высота | 0.35 mm (Max) |
| Ширина | 1 mm |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 1 |
| Package Height | 0.35(Max) |
| Package Length | 1.3 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | DFN |
| Структура | npn |
| Power Dissipation NPN | 350мВт |
| Power Dissipation PNP | - |
| Standard Package Name | DFN |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 420@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transition Frequency NPN | 100МГц |
| Transition Frequency PNP | - |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 420hFE |
| DC Current Gain hFE Min PNP | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN1310H4-6 |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Continuous Collector Current NPN | 100мА |
| Continuous Collector Current PNP | - |
| DC Усиление Тока hFE | 420hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 45В |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | - |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | X2-DFN1310 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 900 mV |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |