Моя заявка (0)

BC847C_R1_00001, 15nA 45V 330mW 520@2mA,5V 100mA 600mV@100mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

BC847C_R1_00001, 15nA 45V 330mW 520@2mA,5V 100mA 600mV@100mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015839671
Артикул
BC847C_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Вес, г
0.03
Power - Max
330 mW
Корпус
SOT-23(TO-236)
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

45 В 330 МВт, 420 В при 2 мА, 5 В 100 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.03
Power - Max330 mW
КорпусSOT-23(TO-236)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)330mW
Supplier Device PackageSOT-23
Transition Frequency (fT)-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)420@2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)15nA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@100mA, 5mA

Техническая документация