Биполярный транзистор BC847C-7-F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049466256
- Артикул
- BC847C-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 3,53 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | BC847C |
| Power - Max | 300mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Base Product Number | BC847 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |