Моя заявка (0)

BC847C-7-F, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23

BC847C-7-F, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006413619
Артикул
BC847C-7-F
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 16,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный BC847C-7-F от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный NPN компонент, выполненный в технологии SMD для монтажа на поверхность. Данный транзистор характеризуется током коллектора до 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность устройства составляет 0,31 Вт, позволяя использовать его в различных электронных схемах. Компактный корпус SOT23 обеспечивает минималистичное размещение на плате и оптимальное рассеивание тепла. Продукт BC847C7F идеально подходит для поверхностного монтажа в современных высокотехнологичных устройствах. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.31 Корпус SOT23

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г0.01
Длина3.05 mm
СерияBC847C
Power - Max300mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberBC847 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition300MHz
Minimum DC Current Gain420
Supplier Device PackageSOT-23-3
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation300 mW
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage50 V
Current - Collector Cutoff (Max)15nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности300 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация