Моя заявка (0)
BC847C,215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8886063114
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Brand:
Nexperia
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Цена по запросу
(от 3,30 ₽)
Минимальный заказ: 164 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
Brand:Nexperia
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
ТипТранзистор биполярный кремниевый n-p-n структуры серии BC847
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г0.05
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:Si
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)| SOT-23
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:DFN1010D-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934069068147
Transistor TypeNPN
Мощностьрассеиваемая коллектора(Pк max)-250 мВт
Описание45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
УпаковкаREEL
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Base Product NumberBC847 ->
Transistor Polarity:NPN
Назначениеуниверсальное
Operating Temperature150В°C (TJ)
Factory Pack Quantity:5000
Frequency - Transition100MHz
Pd - Power Dissipation250mW
Minimum DC Current Gain420
Pd - Power Dissipation:280 mW
Supplier Device PackageTO-236AB
DC Current Gain hFE Max:800
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation250 mW
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Maximum DC Collector Current100mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Характеристикапроизведение Кус.х ширина полосы пропускания(fT)-100 МГц
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:420
Максимальный токколлектора(Iк max)-0.1 А
Тип проводимостиNPN
кол-во в упаковке3000
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Чувствительностьк влажности MSL1
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Коэффициент усиленияhfe max-420(при 2 мА, 5 В)
Hfe при напряжении к-э, В5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Hfe при токе коллектора, А0.002
Коэффициент усиления hFE мин.420
Диапазон рабочих температур-65…+150 °С
Диапазон рабочих температур, оС-65...150
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В45
Максимально допустимое напряжениеколлектор-эмиттер(Uкэ max)-45 В; коллектор-база(Uкб max)-50 В; эмиттер-база(Uэб max)-6 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/90000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт0.25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Максимальный постоянный ток коллектора, А0.1
Статический коэффициент передачи тока hfe мин520
Статический коэффициент передачи тока h21э мин420…800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация