BC847BW-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 200мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002606256
- Артикул
- BC847BW-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 22,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
Технические параметры
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | BC847B |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-323 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200 2mA 5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 20 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |