BC847BW,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8888111618
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.2 mm
- Package Type
- UMT
Цена по запросу
(от 6,90 ₽)
Минимальный заказ: 68 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.2 mm |
| Package Type | UMT |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | BC847BW T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@100mA, 5mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |