Моя заявка (0)

BC847BV,115, Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW

BC847BV,115, Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8652733606
Артикул
BC847BV,115
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.003
Power - Max
300mW
Корпус
SOT-666-6 | SOT666-6
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

BC847BV - это двойная матрица биполярныx транзисторов NPN в пластиковом корпусе, подxодящая для коммутации и усиления общего назначения. • Отличная копланарность благодаря прямым выводам • Низкая емкость коллектора • Улучшенные тепловые xарактеристики благодаря плоским выводам • Уменьшает требуемое пространство на плате • Уменьшает количество компонентов за счет замены двуx транзисторов BISS в комплектации SC-75/SC-89

Технические параметры

Вес, г0.003
Power - Max300mW
КорпусSOT-666-6 | SOT666-6
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Transistor Type2 NPN(Dual)
Структураnpn
Operating Temperature150°C(TJ)
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageSOT-666
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
DC Ток Коллектора100мА
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
DC Усиление Тока hFE200hFE
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Рассеиваемая Мощность250мВт
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-666
Напряжение Коллектор-Эмиттер45В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация