Моя заявка (0)

BC847BU3T106, Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-323, 45V 100mA, GP Amplification

BC847BU3T106, Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-323, 45V 100mA, GP Amplification

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005545303
Артикул
BC847BU3T106
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Корпус
sot-323
Power Dissipation
200мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 19,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN

Технические параметры

Вес, г1
Корпусsot-323
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max45В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft200МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация