BC847BT-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 150мВт, SOT523
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538215
- Артикул
- BC847BT-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 8,32 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 150мВт, SOT523 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | BC847B |
| Power - Max | 150mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BC847 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-523-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |