BC847BPDXV6T1G, Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8153208501
- Артикул
- BC847BPDXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.003
- Transistor Type
- NPN+PNP
- Структура
- npn
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
45 В 357 МВт 200 при 2 мА, 5 В 100 мА NPN+ PNP Биполярные транзисторы SOT-563 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.003 |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 357mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA, 5mA;650mV@100mA, 5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |