BC847BPDXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368633
- Артикул
- BC847BPDXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.003
- Transistor Type
- NPN+PNP
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
- Collector Current (Ic)
- 100mA
Цена по запросу
(от 29,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
45 В 357 МВт 200 при 2 мА, 5 В 100 мА NPN+ PNP Биполярные транзисторы SOT-563 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.003 |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 357mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA, 5mA;650mV@100mA, 5mA |