BC847BPDW1T3G, 45V 380mW 200@2mA,5V 100mA NPN+PNP SOT-363-6 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037110849
- Артикул
- BC847BPDW1T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.03
- Серия
- BC847BP
- Корпус
- SOT-363
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS SC88 GP XSTR DUAL 45V
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | BC847BP |
| Корпус | SOT-363 |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |