Моя заявка (0)

BC847BPDW1T1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary

BC847BPDW1T1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006229042
Артикул
BC847BPDW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Small Signal
Mounting
Surface Mount
Frequency
100(MHz)
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 14,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор NPN / PNP, биполярный, кОмплементарная пара, 45В

Технические параметры

CategoryBipolar Small Signal
MountingSurface Mount
Frequency100(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count6
Вес, г0.03
Output PowerNot Required(W)
Package TypeSOT-363
Rad HardenedNo
КорпусTSSOP6
ConfigurationDual
Mounting TypeSurface Mount
DC Current Gain200
Transistor TypeNPN/PNP
Power Dissipation380мВт
Number of Elements2
Transistor PolarityNPN/PNP
Emitter-Base Voltage6/5(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Collector Current (DC)0.1(A)
Collector-Base Voltage50(V)
DC Current Gain hFE Min200hFE
Minimum DC Current Gain200
Transistor ConfigurationIsolated
Collector-Emitter Voltage45(V)
Maximum Power Dissipation380 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip2
Collector Current (DC) (Max)0.1 A
Continuous Collector Current100мА
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector Emitter Voltage Max45В
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Ток Коллектора100мА
Maximum Collector Base Voltage50 V
кол-во в упаковке3000
DC Усиление Тока hFE200hFE
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Temperature ClassificationMilitary
Корпус РЧ ТранзистораSOT-363
Рассеиваемая Мощность380мВт
Полярность ТранзистораNPN, PNP
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Напряжение Коллектор-Эмиттер45В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация